产品特点
隔离电压:500V
TTL/ LSTTL/CMOS等电路相容
静电等级:1000V

产品特点
双向输出
导通电压:Vs≤5mv
各通道互相隔离
四通道结构

产品特点
隔离电压:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等电路相容
静电等级:1000V

产品特点
速度:tr≤50ns;tf≤20ns
隔离电压:1000V
集电极开路输出
TTL/LSTTL/CMOS电平兼容

产品特点
隔离电压:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等电路相容
静电等级:1000V
FT-49-H249S抗辐射总剂量达100krad(Si)

产品特点
电源电压:2.7V~5.5V
隔离电压:1000V
集电极开路
最高速度:10Mbit/s
静电等级:1000V

产品特点
集电极开路输出
集-发击穿电压V(BR)CEO:80V
静电等级:1000V

产品特点
电源电压:2V~18V
隔离电压:1000V
集电极开路
最高速度:1Mbit/s
静电等级:1000V

产品特点
集电极开路输出
集-发击穿电压V(BR)CEO:100
静电等级:1000V

产品特点
隔离电压:1000V
静电等级:1000V

产品特点
集电极开路输出
集-发击穿电压V(BR)CEO:100V
静电等级:1000V

产品特点
最高工作电压:30V
隔离电压:1500V
集电极开路输出
最高速度1Mbit/s

产品特点
高电流传输比:1800%(典型值)
隔离电压:1000V
集电极开路反相输出
低电流驱动:0.5mA
TTL/ LSTTL/CMOS等电路兼容

1.Features
High current transfer ratio – 2000%typical.
Low input current requirements – 0.5mA

产品特点
电源电压:2V~50V
隔离电压:1000V
集电极开路
静电等级:1000V

Features
(1)   Current transfer ratio(CTR) : MIN. 50% at IF  = 5mA, VCE = 5V, Ta=25 ℃
(2)   High input-output isolation voltage.(VISO=3,750Vrms)
(3)   Collector and emitter Voltage : 80V(MIN)
(4)   Operating Temperature :-55 ℃ to 125 ℃

产品特点
隔离电压:2000V
输出耐压:400V
TTL/LSTTLCMOS等电路相容
晶闸管输出型

1.Features
(1)3.3v / 5V supply voltage
(2)low power consumption

产品特点
隔离电压:500V
无磁铜底座,微磁封装
编码盘表面红外吸收处理,提高了反光比

1.Features
(1)High common mode transient immunity (CMH, CML= 15 kV/s MIN.)
(2)Half size of 8-pin DIP